摘要:

针对系统级封装技术中硅通孔(through silicon via,TSV)阵列密度日益增加的问题,提出了一种新型的椭圆柱TSV结构以及相应的GS(地—信号)传输结构.建立这一新型传输结构的等效电路模型,提取其电阻、电感和电容等元件参数.分析该新型TSV结构的物理尺寸及绝缘层厚度对传输结构性能的影响.在三维电磁场求解器中,将基于椭圆TSV的GS传输结构与传统圆柱形TSV结构进行对比,发现在保证特性阻抗不变的情况下,该结构表面电场分布更均匀,传输性能也有所提升,而且占用的芯片面积更小.考虑实际应用,将2种TSV结构添加再分布层(redistribution layer,RDL)后,再次进行比较.实验结果表明,基于椭圆柱TSV的传输结构可以很好地替代常规结构,而且有利于提升TSV阵列密度,解决日益紧张的布线空间对三维高密度集成带来的挑战.