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Ti(C,N)粉末的制备技术及研究进展
Ti(C,N)粉末
制备技术
碳热还原
研究进展
铝合金Ti(C,N)/TiN多元多层膜与阳极氧化膜性能比较
铝合金
多弧离子镀
多元多层膜
阳极氧化
摩擦学
β-Si3N4单晶体的制备
长柱状
β-Si3N4单晶
制备
浸渍模压与CVD复合工艺制备质子交换膜燃料电池用炭纸
质子交换膜燃料电池
化学气相沉积
浸渍模压
面电阻
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 采用CVD技术制备晶体C—N膜
来源期刊 电子材料快报 学科 工学
关键词 化学气相沉积 氮化碳 C-N 半导体薄膜 晶体
年,卷(期) 1996,(8) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 5-6
页数 2页 分类号 TN304.2
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1996(0)
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研究主题发展历程
节点文献
化学气相沉积
氮化碳
C-N
半导体薄膜
晶体
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子材料快报
月刊
天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
出版文献量(篇)
576
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