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XPS Studyo f Silicon Irradiated with 750 MeV Ar Ion
XPS Studyo f Silicon Irradiated with 750 MeV Ar Ion
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摘要：
推荐文章
Ar+溅射对铁系催化剂表面物相影响的XPS研究
离子溅射
XPS
铁系催化剂
还原反应
乙苯
苯乙烯
85 MeV19F离子辐照InP正电子湮没研究
InP
19F离子
辐照效应
正电子湮没
85 MeV 19F离子辐照α-Al2O3热退火产生的空洞研究
α-Al2O3
85 MeV19F离子
热退火
空洞
正电子湮没寿命
含有大的吸电子取代基化合物GeR2Cl2(R=Ar,Ar′和Ar″)的合成、晶体结构与19F NMR
大的吸电子基
Ar=2,4,6-(CF3)3C6H2
Ar′=2,6-(CF3)2C6H3
Ar″=2,4-(CF3)2C6H3
GeAr2Cl2
GeAr2′Cl2
19F NMR
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
| 篇名 | XPS Studyo f Silicon Irradiated with 750 MeV Ar Ion | ||
| 来源期刊 | 中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报：英文版 | 学科 | 物理学 |
| 关键词 | |||
| 年，卷（期） | 1997,（0） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 70-72 | |
| 页数 | 3页 | 分类号 | O571 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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期刊影响力
中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报：英文版
主办单位：
Atomic
Energy
Physics
出版周期：
年刊
ISSN：
CN：
开本：
出版地：
兰州市城关区南昌路509号
邮发代号：
创刊时间：
语种：
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4411
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1
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