提高雪崩击穿电压新技术-深阱终端结构

• 作者: 周蓉 张庆中 胡思福
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 深阱 终端 雪崩击穿电压 介质 场板
• 年，卷（期）: 1999,（3）
• 页码范围: 259-261
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.1999.03.009

摘要

研究了深阱终端结构提高击穿电压的原理,模拟分析了阱中介质、阱深、阱宽及阱表面场板对击穿电压的影响.结果表明,带有场板的深阱终端结构可以提高击穿电压到平行平面结的90%.同时,深阱终端结构在不减小散热面积的情况下,还大大减小了结面积,减小了漏电流,有助于改善器件的频率特性,提高器件的稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张庆中	电子科技大学微电子科学与技术系	16	73	4.0	8.0
2	周蓉	电子科技大学微电子科学与技术系	6	10	2.0	3.0
3	胡思福	电子科技大学微电子科学与技术系	6	10	2.0	3.0