述评：金属等离子体浸没离子植入和沉积

• 作者: Anders,A 思虹
• 来源期刊: 国外核聚变与等离子体应用
• 学科: 工学
• 关键词: 离子植入 离子沉积 金属 等离子体 真空电弧
• 年，卷（期）: 1999,（2）
• 页码范围: 62-70
• 页数: 9页
• 分类号: TG156.8

摘要

金属等离子体浸没离子植入和沉积（ＭｅＰＩＩＩＤ）是一项将阴极电弧沉积和等离子体浸没离子植入结合起来的混合工艺。本文评述了由真空电弧产生的金属等离子体的性能，并讨论了ＭｅＰＩＩＩＤ的结果。描述了各种类型的ＭｅＰＩＩＩＤ，并将它们与表面改性的传统方法如离子束辅助沉积（ＩＢＡＤ）作了比较。由于使用了各种离子粒种和能量，ＭｅＰＩＩＩＤ是一项非常通用的方法。在一种极端情况下，用能量范围为２０－５０ｅＶ的离子