垂直腔面发射半导体激光器输出特性的分析

• 作者: 张晓霞 潘炜 罗斌
• 来源期刊: 西南交通大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 自发辐射 多量子阱 封闭腔
• 年，卷（期）: 1999,（4）
• 页码范围: 480-483
• 页数: 4页
• 分类号: TN365
• 字数: 2674字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-2724.1999.04.021

摘要

依据腔量子电动力学中自发辐射增强效应,分析了垂直腔面发射半导体激光器的微腔效应,比较了普通开腔和三维封闭腔中的结果.从理论上推出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程.并讨论了其输出特性即粒子数反转和光输出随泵浦速率变化的关系,同时也讨论了利用微腔效应进一步降低半导体激光器激射阈值的途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘炜	西南交通大学电气工程学院	210	1270	17.0	25.0
2	罗斌	西南交通大学电气工程学院	196	1240	15.0	26.0
3	张晓霞	西南交通大学电气工程学院	15	101	6.0	9.0