快速模拟退火算法用于MESFET大信号建模

• 作者: 杨卫平 王卓鹏 高国成
• 来源期刊: 系统工程与电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微波半导体器件 信号处理 收敛 +快速模拟退火
• 年，卷（期）: 1999,（11）
• 所属期刊栏目: 电子技术
• 页码范围: 56-57
• 页数: 2页
• 分类号: TN1
• 字数: 2456字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-506X.1999.11.017

摘要

对快速模拟退火算法的关键参数进行确定,将该算法应用于微波半导体大信号建模,解决了多变量非线性优化难题,实验结果表明该方法是有效的.从而为解决MESFET(Metal-Semico nductor Field Effect Transistor)大信号建模问题提供了一种新思路.