深掺杂Si反常电阻效应微型流量传感器

• 作者: Hunderson Therman 李兴 梁家昌
• 来源期刊: 南开大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 微型流量传感器 Si的深掺杂 惠斯登电桥 响应时间
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 页码范围: 50-53
• 页数: 4页
• 分类号: TP212.1
• 字数: 1945字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0465-7942.2000.03.011

摘要

使用深掺杂方法在Si材料中掺入金原子后,其电阻随温度T的变化关系由主要依赖于T-3/2项的浅掺杂材料变成主要依赖于exp(-E/KT)项的深掺杂材料,从而大幅度地提高了掺金Si材料对温度的敏感性.在理论上深掺杂Si材料比浅掺杂Si材料对温度的敏感性提高了约1000倍.用深掺杂方法制成的微型流量传感器特性的测量证明了以上理论.深掺杂Si材料的应用不但提高了微型流量传感器的灵敏度,也大幅度地降低了其时间常数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李兴	天津职业技术师范学院自动化系	6	10	2.0	3.0
2	梁家昌	中国民航学院基础科学部	11	26	3.0	4.0