测量XAFS谱的全电子产额技术

• 作者: 刘涛 胡天斗
• 来源期刊: 同步辐射装置用户科技论文集
• 学科: 物理学
• 关键词: 测量 XAFS谱 全电子产额技术 同步辐射 X-射线吸收精细结构 磁控溅射 铜薄膜 结构分析
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 页码范围: 28-31
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1

摘要

在北京同步辐射实验室XAFS实验站上建立了利用全电子产额方法探测XAFS的实验方法。通过测量单色X－射线在样品表面激发出的电子产额随X－射线能量的变化，提取在吸收边附近的XAFS震荡。对不同厚度Cu薄膜的测量表明，在Cu的K吸收边附近可观察到信噪比很好的XAFS震荡。该探测器设计简单，可以直接在大气下工作。全电子产额XAFS方法的建立，有助于导电薄膜和材料的近表面结构研究。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡天斗	中科院高能物理所同步辐射室	12	6	2.0	2.0
2	刘涛	中科院高能物理所同步辐射室	8	23	2.0	4.0