含表面层的厚靶D-T中子产额计算

• 作者: 石磊 黎明
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: D-T 中子产额 表面层
• 年，卷（期）: 2014,（Z1）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 18-21
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2014.48.S0.0018

摘要

本文给出一种含表面层氚钛靶DT反应中子产额的计算方法,并开发了相应的数值计算程序.以氧化层为TiO2为例,定量计算了D核在TiO2中的深度分布统计及透过率、200 keV的D核穿过不同厚度TiO2的能量分布函数、D核入射含不同厚度氧化层Ti%.0的DT中子产额和不同能量D核入射固定厚度氧化层TiT1.0的DT中子产额.结果显示,中子产额随氧化层厚度的增加而减小,对于200 keV的D核入射到含TiO2氧化层的TiT1.0厚靶,当TiO2厚度为0.1μm时,损失约10％的中子产额,厚度为0.2 μm时,损失约20％的中子产额.本方法可推广到其他类型表面层(如污染层、保护层等)的中子产额计算,可用于中子发生器用靶的结构设计和中子产额评估.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黎明	中国工程物理研究院电子工程研究所	50	146	5.0	9.0
2	石磊	中国工程物理研究院电子工程研究所	16	57	4.0	6.0