用MCNPX计算ADS金属靶散裂中子产额及散裂源中子效率

• 作者: 时磊 景桂芬
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 中子产额 中子能谱 中子泄漏谱 源中子效率 MCNPX 金属靶
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 641-646
• 分类号: TL411.1
• 字数: 2924字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2011.03.029

摘要

为了分析加速器驱动系统(ADS)中质子束能量对金属靶散裂产生的中子产额及靶内中子能谱、靶表面的泄漏谱的影响,利用MCNPX对ADS的重金属铅靶、钨靶在不同能量的质子束轰击下的中子产额、中子能谱及靶表面的中子泄漏谱进行了模拟计算,与国际上其他研究机构的模拟结果进行了比较,结果相近.并对铅靶、钨靶的中子产额及泄漏谱进行比较,模拟结果是钨靶的中子产额较铅靶的中子产额大但中子泄漏谱计数较铅的小.结合MCNP5还对一个次临界基准体系中散裂源中子相对于裂变中子的效率进行了计算.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	时磊	四川大学物理科学与技术学院	5	3	1.0	1.0
2	景桂芬	四川大学物理科学与技术学院	5	3	1.0	1.0