有限深球方势阱研究Au纳米粒子自组装体系的I-V特性

• 作者: 何红波 周继承 李义兵 胡慧芳
• 来源期刊: 量子电子学报
• 关键词: 转移哈密顿法 跃迁几率 主方程
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 光电技术与材料
• 页码范围: 562-567
• 页数: 6页
• 字数: 4013字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2000.06.014

摘要

本文在量子点的球方阱模型基础上，利用转移哈密顿法计算了纳米粒子自组装体系电子的跃迁几率．在此基础上，通过求解电子跃迁的主方程即可得到该体系的隧穿电流与偏压的关系．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡慧芳	长沙铁道学院信息学院材料研究所	17	104	3.0	10.0
2	李义兵	长沙铁道学院信息学院材料研究所	19	37	3.0	4.0
3	何红波	长沙铁道学院信息学院材料研究所	28	66	5.0	6.0
4	周继承	长沙铁道学院信息学院材料研究所	19	27	3.0	3.0