非对称双异质结中极化子性质的研究

• 作者: 江光佐 温诚忠
• 来源期刊: 西南交通大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 极化子 半导体材料 非对称双异质结
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 页码范围: 409-412
• 页数: 4页
• 分类号: O471.3
• 字数: 1423字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-2724.2000.04.018

摘要

研究了半导体非对称双异质结(ADHS)中,极化子的基态性质.计算出基态束缚能和有效质量,并表示为阱宽的函数.计算中既考虑受限LO声子的贡献,也考虑界面声子的贡献.其结果与对称双异质结(DHS)的结果有较大差别,界面声子起了更大的作用.显示结构的非对称性会对双异质结的性质带来深刻的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江光佐	西南交通大学应用物理系	20	90	4.0	9.0
2	温诚忠	西南交通大学应用物理系	5	57	2.0	5.0