在(111)Si基底上直接溅射合成PbTiO3薄膜以及Pb损失的抑制

• 作者: 冯士猛 汤兆胜 范正修 赵强
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: PbTiO3 铁电薄膜 Pb损失 冷却速率
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 412-415
• 页数: 4页
• 分类号: TM223
• 字数: 3406字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2000.04.028

摘要

利用射频磁控溅射系统,采用Ti、Pb组合靶,以O2为反应气体,在(111)Si基板上直接沉积PbTiO3薄膜,通过对不同基底温度以及沉积后的薄膜在不同的氧气氛中采用不同的降温速率降温制备.通过对所得的薄膜的结构和组成以及光学和电学特性的测试、分析得出:在535℃时沉积、溅射后直接充入107Pa的氧气并且以3℃/min的速率降至室温,制备出了性能较好的具有钙钛矿结构的PbTiO3薄膜.并对薄膜的形成机理进行了探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范正修	中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜技术中心	203	2312	23.0	32.0
2	汤兆胜	中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜技术中心	20	201	7.0	14.0
3	赵强	中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜技术中心	78	651	14.0	21.0
4	冯士猛	中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜技术中心	2	2	1.0	1.0