超高速CMOS/SOI 51级环振电路的研制

• 作者: 倪卫华 奚雪梅 张兴 王阳元 阎桂珍
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS/SOI MOSFET 环振电路
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 44-46
• 页数: 3页
• 分类号: TN451
• 字数: 2904字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2000.05.012

摘要

利用CMOS/SOI工艺在4英寸SIMOX材料上成功制备出沟道长度为1μm、器件性能良好的CMOS/SOI部分耗尽器件和电路,从单管的开关电流比看,电路可以实现较高速度性能的同时又可以有效抑制泄漏电流.所研制的51级CMOS/SOI环振电路表现出优越的高速度性能,5V电源电压下单门延迟时间达到92ps,同时可工作的电源电压范围较宽,说明CMOS/SOI技术在器件尺寸降低后将表现出比体硅更具吸引力的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张兴	北京大学微电子研究所	120	618	12.0	20.0
2	王阳元	北京大学微电子研究所	78	1128	15.0	32.0
3	奚雪梅	北京大学微电子研究所	3	2	1.0	1.0
4	倪卫华	北京大学微电子研究所	1	2	1.0	1.0
5	阎桂珍	北京大学微电子研究所	5	12	2.0	3.0