吸收因子对砷化镓高功率高速光导开关延迟时间的影响

• 作者: 孟凡宝 杜正伟 杨周炳 龚克
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓高功率高速光导开关 吸收边漂移 延迟时间 吸收系数 吸收因子
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 125-126,124
• 页数: 3页
• 分类号: TN364+.3
• 字数: 2130字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2000.05.038

摘要

本文用由于禁带变窄引起的吸收边漂移造成的电子吸收来研究了砷化镓高功率高速光导开关的延迟时间,给出了初始开态场、照射激光波长和温度对延迟时间的影响的简单公式.结果表明开关的半导体片对照射激光的吸收因子增大了开关的延迟时间,在计算中应该加以考虑.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜正伟	清华大学微波与数字通信国家重点实验室	20	184	8.0	13.0
2	龚克	清华大学微波与数字通信国家重点实验室	34	292	11.0	16.0