化合物半导体

• 来源期刊: 电子科技文摘
• 学科: 工学
• 关键词: 化合物半导体 情报通信 电子器件 半导体器件 研究报告 光学特性 选择生长 横向生长 学会 幅射
• 年，卷（期）: 2000,（12）
• 页码范围: 6-6
• 页数: 1页
• 分类号: TN

摘要

【正】 N2000-06797 0019795电子情报通信学会技术研究报告:电子器件 ED99-198～208(信学技报,Vol.99,No.377)[汇,日]/日本电子情报通信学会.-1999.10.-74P.(L)本文集为化合物混晶半导体器件与材料(含宽带)专辑,收录的11篇论文主要涉及:GaN 的选择生长、横向生长与腐蚀密度的降低,ELO-GaN 的幅射、非幅射重合过程的评价,InGaN 呈子阱的光学特性,GaN 表