阿霉素在钴离子注入修饰电极上的电化学行为

• 作者: 李启隆 胡劲波 黄清泉
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 医学
• 关键词: 阿霉素离子注入修饰电极电化学行为表面分析
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 659-662
• 页数: 3页
• 分类号: R927
• 字数: 1875字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2001.08.009

摘要

阿霉素(ADM)在0.005 mol·L-1 Tris / 0.05 mol·L-1 NaCl溶液中, 在Co/GCE上有一灵敏的还原峰, 峰电位为- 0.62 V(对SCE). 峰电流与ADM的浓度有关. 用线性扫描和循环伏安等手段研究体系的电化学行为, 实验表明, 电极过程是受吸附控制的准可逆过程, 注入的钴催化了ADM的还原. 根据 Laviron吸附理论, 求得电极反应速率常数k0 = 2.15 s-1, 电荷转移系数a = 0.62. 用X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)等表面分析手段, 对离子注入修饰电极表面的元素组成、价态和深度分布进行测定. 钴离子确实被注入在GCE表面. 并初步认为, 被注入的Co形成的Co-C催化ADM在电极上的还原.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡劲波	北京师范大学化学系	47	423	13.0	18.0
2	李启隆	北京师范大学化学系	48	405	13.0	17.0
3	黄清泉		32	254	10.0	15.0