用于改善PtSi红外焦平面阵列器件响应特性的长焦距GaAs微透镜阵列器件的制作研究

• 作者: 何苗 刘鲁勤 易新建 王英瑞 程祖海
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs 微透镜阵列 离子束刻蚀 组合器件 红外焦平面阵列器件
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 页码范围: 321-324
• 页数: 4页
• 分类号: TN21
• 字数: 588字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2001.05.001

摘要

提出了一种新的曲率补偿法用于长焦距微透镜阵列的制作.扫描电子显微镜(SEM)显示微透镜阵列为表面极为平缓的方底拱形阵列,表面探针测试结果显示用曲率补偿法制作的微透镜的焦距可达到3861.70μm,而常规光刻热熔法很难制作出焦距超过200μm的相同尺寸的微透镜阵列.微透镜阵列器件与红外焦平面阵列器件在红外显微镜下对准胶合,显著改善了红外焦平面阵列器件的响应特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	易新建		102	1261	21.0	29.0
2	程祖海		97	785	14.0	21.0
3	何苗		8	50	4.0	7.0
4	刘鲁勤		3	10	2.0	3.0
5	王英瑞		3	16	2.0	3.0