电化学沉积制备半导体CuInSe2薄膜

• 作者: 力虎林 张校刚 申承民
• 来源期刊: 感光科学与光化学
• 学科: 化学
• 关键词: 电沉积 半导体 纳米薄膜
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1-8
• 页数: 8页
• 分类号: O64
• 字数: 4244字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-0475.2001.01.001

摘要

本文报道恒电位法在pH为1.35的Cu2SO4、SeO2、In2（SO4）3溶液中，在Ti电极上电化学沉积制备CuInSe2纳米薄膜.研究络合剂柠檬酸和酒石酸对制备CuInSe2纳米薄膜的影响.扫描电子显微镜(SEM)结果表明，加入络合剂后，电化学沉积的薄膜表面颗粒分布更均匀、致密.X射线衍射(XRD)分析显示，制备的CuInSe2薄膜是黄铜矿和闪锌矿相的混和物，添加柠檬酸和酒石酸后，衍射峰增强，晶形变好.制备的薄膜颗粒尺寸大小在250 nm左右，造成粒度增大的原因是由于颗粒的团聚作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	力虎林	兰州大学化学系	68	1402	21.0	35.0
2	张校刚	兰州大学化学系	5	311	4.0	5.0
3	申承民	兰州大学化学系	4	54	3.0	4.0