CuInSe_2薄膜的电化学沉积及其形成机理

• 作者: 刘业翔 刘军 刘芳洋 吴免利 张治安 李劼 赖延清
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: CuInSe_2 太阳电池 电化学沉积 形成机理 诱导作用 退火处理
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 330-335
• 页数: 6页
• 分类号: O646
• 字数: 5224字
• 语种: 中文

摘要

采用电化学沉积法制备了太阳电池用CuInSe_2薄膜. 利用循环伏安法(CV)、X射线能谱(EDS)和X射线衍射技术(XRD)研究了电沉积过程中CuInSe_2的形成机理, 并研究了制备工艺对膜层成分、形貌和物相结构的影响. 研究结果表明,铟进入固相是通过In~(3+)受Cu_3Se_2诱导作用欠电势还原或者In~(3+)与H_2Se反应这两种途径实现;先沉积的Cu_3Se_2与新生成的铟或铟硒化合物反应最后生成CuInSe_2. 在阴极电位为-0.58～-0.9 V(vs. SCE)时出现了不随电位变化的极限还原电流, 在该电位范围内进行电沉积获得了化学计量组成稳定可控且相对致密平整的CuInSe_2薄膜. 电沉积的CuInSe_2薄膜经真空退火处理后结晶质量得到明显改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘业翔	中南大学冶金科学与工程学院	179	2522	25.0	39.0
2	李劼	中南大学冶金科学与工程学院	259	2311	22.0	31.0
3	赖延清	中南大学冶金科学与工程学院	224	2239	23.0	32.0
4	刘军	中南大学冶金科学与工程学院	142	1222	16.0	29.0
5	张治安	中南大学冶金科学与工程学院	45	435	13.0	18.0
6	刘芳洋	中南大学冶金科学与工程学院	29	88	7.0	9.0
7	吴免利	中南大学冶金科学与工程学院	3	8	2.0	2.0