掺铒硅基材料发光的新途径

• 作者: 张通和 徐飞 程国安 肖志松 顾岚岚
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子注入 光致发光 铒 纳米硅
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 164-168
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3921字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.01.032

摘要

采用MEVVA源离子注入机将Si，Er先后掺杂到不同厚度的热氧化硅薄膜中，利用卢瑟福背散射(RBS)能谱分析了掺杂层中Er原子的深度分布，Er的掺杂浓度为1021cm-3量级；原子力显微镜(AFM)形貌观测中发现有纳米晶Si镶嵌在注入层中；X射线光电子能谱(XPS)的结果显示了不同厚度掺杂层中Er,Si,O含量的变化.77K温度下，在退火态样品的近红外光致发光(PL)谱中观察到了Er3+的1.54μm特征发射.Er3+作为孤立离子发光中心，其激活能主要来源于nc-Si/SiO2(c-Si/SiO2)界面处的载流子复合，再将能量转移给Er3+而产生发光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程国安	南昌大学材料科学与工程系	17	202	5.0	14.0
2	徐飞	南昌大学材料科学与工程系	19	97	5.0	9.0
3	顾岚岚		8	42	4.0	6.0