高激发功率对GaP∶N发光谱的影响

• 作者: 康秀英 杨锡震 王亚非 王幼林
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: 掺氮磷化镓(GaP∶N) 荧光光谱 拟合
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 44-47
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3
• 字数: 1141字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2001.01.009

摘要

讨论了掺氮磷化镓（GaP∶N）荧光光谱的峰值强度（孤立氮等电子中心束缚激子发光峰A、最邻近N-N对束缚激子发光峰NN1和次邻近N-N对束缚激子发光峰NN3）随激发强度的变化规律，并在发光跃迁动力学方程中计入了由于高激发密度引起的样品温度升高，而导致孤立氮A的能级NA和最邻近N-N对NN1的能级的热激发的增强，得到了R（即最近邻N-N对(NN1)束缚激子发光峰与孤立N等电子中心束缚激子发光峰的强度比INN1/IA）与掺N浓度和激发光强的变化关系。利用实验数据进行拟合，得到了更好的拟合结果，并讨论了用此法计算GaP∶N样品中氮浓度时应注意的一些问题。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨锡震	北京师范大学分析测试中心	16	102	4.0	9.0
2	康秀英	北京师范大学分析测试中心	12	21	2.0	4.0
3	王亚非	北京师范大学分析测试中心	4	4	1.0	1.0
4	王幼林	北京师范大学分析测试中心	1	1	1.0	1.0