光斑尺寸对GaAS1-xBix光致发光谱线型的影响

• 作者: 刘锋 邵军 闫冰 陈熙仁
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光斑尺寸 信噪比 光致发光 GaAsBi
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 页码范围: 210-214
• 页数: 5页
• 分类号: O433.4
• 字数: 2158字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2019.02.014

摘要

针对低激发功率密度光致发光(photoluminescence,PL)谱信噪比(signal-to-noise ratio,SNR)对GaAs1-xBix带尾能级探究的限制问题,基于傅里叶变换红外PL光谱实验系统对两个GaAs1-xBix外延膜开展变激发光斑尺寸PL光谱测试分析.结果表明,激发功率恒定时光斑直径增大导致PL峰位红移和线宽先降低后增大.这一现象是由于等效激发功率密度的降低而导致的.在保持激发功率密度为5.1 W/mm2时,光斑增大不影响光谱线型但显著提升SNR.由此,低激发功率密度PL光谱的弱信号探测能力得以提高,有助光谱定量拟合分析.本工作表明,适当增大激发光斑尺寸有助于低激发功率密度PL光谱的SNR和弱信号分辨能力的提升.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘锋	上海师范大学数理学院	5	0	0.0	0.0
2	陈熙仁	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	3	0	0.0	0.0
3	邵军	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	6	18	2.0	4.0
4	闫冰	上海师范大学数理学院	9	16	2.0	4.0