太阳电池用直拉硅单晶中氧沉淀的研究

• 作者: 应啸 李先杭 杨德仁 王莉蓉
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳电池 氧沉淀 退火 硅
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 页码范围: 398-402
• 页数: 5页
• 分类号: TK513
• 字数: 3672字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2001.04.007

摘要

主要通过单步退火与二步退火的方法,借助于红外光谱仪、扫描电镜等研究了太阳电池用直拉硅单晶中氧沉淀性质,发现太阳电池用直拉硅单晶氧沉淀的过程不同于微电子用直拉硅单晶,尽管碳浓度很高,经过单步退火处理没有氧沉淀生成. 这被认为由于晶体生长速度快等原因,太阳能用硅单晶的原生氧沉淀很少,氧沉淀缺乏原始核心的缘故.而经过750℃预退火,生成氧沉淀核心,太阳能用硅单晶中也有大量的氧沉淀产生.研究表明,如果太阳电池工艺中硅片仅经800～1100℃的单步热处理,太阳能用直拉硅单晶中的氧可能对太阳电池的效率没有影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	王莉蓉	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	15	2.0	2.0
3	应啸	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	15	2.0	2.0
4	李先杭	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	6	1.0	2.0