Si（313）表面电子结构特性的理论研究

• 作者: 姚乾凯 徐小树 贾瑜 马丙现 魏英耐
• 来源期刊: 郑州大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 态密度 表面态 散射理论 紧束缚近似 高密勒指数
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 32-35
• 页数: 4页
• 分类号: O472
• 字数: 2426字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-6841.2001.01.009

摘要

利用形式散射理论的格林函数方法及紧束缚最近邻近似下的sp3s模型，首次计算了半导体Si的（313）高指数表面的表面电子结构.采用层轨道表象及表面投影技术，给出了（313）表面在二维布里渊区高对称点的波矢可分辨的电子态密度和表面投影能带结构.计算结果表明：（313）表面在-10eV到+2eV的能区内存在6个主要的表面态.在此基础上讨论了各表面态的色散特性、轨道特性和局域特性等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾瑜	郑州大学材料物理重点实验室	54	123	6.0	7.0
2	姚乾凯	郑州大学材料物理重点实验室	17	19	2.0	3.0
3	魏英耐	郑州大学材料物理重点实验室	15	18	2.0	3.0
4	马丙现	郑州大学材料物理重点实验室	19	120	6.0	10.0
5	徐小树	郑州大学材料物理重点实验室	2	1	1.0	1.0