新鲜多孔硅(001)表面结构与电子特性理论研究

• 作者: 李金山 杨春 邓小燕 郁卫飞
• 来源期刊: 四川师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 数学
• 关键词: 多孔硅 密度泛函理论 表面结构
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 329-332
• 页数: 4页
• 分类号: O164
• 字数: 2765字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2006.03.020

摘要

在周期边界条件下的k空间中,采用基于密度泛函理论的广义梯度近似(GGA)平面波超软赝势法,建立H12Si31几何模型来对表面主要被H覆盖的新鲜多孔硅(Porous Silicon,PS)(001)表面最外层的Si-H键的几何结构和电子特性进行初步的理论研究.计算得到氢化PS(001)表面几何结构Si-H键长为0.148 nm、H-Si-H键角为106°,并通过原子布居数、电子密度图分析得到氢化PS表面原子的电子特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨春	四川师范大学计算机软件重点实验室	89	760	14.0	24.0
2	李金山	中国工程物理研究院化工材料研究所	100	1481	23.0	32.0
3	郁卫飞	中国工程物理研究院化工材料研究所	45	435	15.0	18.0
4	邓小燕	四川师范大学计算机软件重点实验室	2	5	2.0	2.0