Si/SiNx多层膜能带结构的理论研究

• 作者: 何贤模 徐明 芦伟 魏屹
• 来源期刊: 四川师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: K-P模型 多层膜 能带结构 量子限制效应
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 所属期刊栏目: 特约专稿
• 页码范围: 545-548,封2
• 分类号: O472
• 字数: 2829字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2010.04.031

摘要

利用Kronig-Penney模型计算了Si/SiNx多层膜结构中Si亚层的能带结构.结果表明,无论是减少Si或Si/SiNx亚层的厚度都将导致Si层的带隙发生宽化,计算结果与实验值符合较好.进而还发现,当Si层厚度减小时,Si/SiNx多层膜结构中载流子(电子和空穴)的有效质量均减小,有利于对载流子复合发光的控制.计算结果对实验上研究发光可控的Si/SiNx多层膜结构有重要指导意义.