基于Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜结构的量子点构筑及发光特性

• 作者: 丁宏林 宋捷 徐骏 李伟 王旦清 王祥 郭艳青 陈坤基 马忠元 黄锐
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化硅 多层膜 限制结晶 纳米晶硅
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 5823-5827
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

利用等离子体增强化学气相沉积法制备Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜,分别使用热退火和激光辐照技术对多层膜进行退火,以构筑三维限制、尺寸可控、有序的硅纳米晶.实验结果表明,经退火后,纳米硅晶粒在Si-rich SiNx子层内形成,其尺寸可由Si-rich SiNx子层厚度调控.实验还发现,激光辐照技术相比于热退火能更有效地改善多层膜的微结构,提高多层膜的晶化率,以激光技术诱导晶化的Si-rich SiNx/N-rich SiNx多层膜作为有源层构建电致发光器件,在室温下观察到了增强的电致可见发光,并且发光效率较退火前提高了40%以上.