实时控制过饱和度降温法生长KDP晶体

• 作者: 付有君 孙洵 曾红 李义平 王圣来 高樟寿
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 过饱和度 晶体质量 实时控制 电导
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 37-44
• 页数: 8页
• 分类号: O782
• 字数: 3535字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2001.01.006

摘要

用变压器型电导仪实现了KDP晶体生长过程中溶液的浓度和过饱和度的实时测量与控制，测量精度0.03g KDP/100g H2O(0.10%相对过饱和度)，控制精度与测量精度相当. 过饱和度实时控制系统提供了一种方法，可以研究在不同工艺条件生长KDP晶体时，过饱和度与晶体生长和性能的关系. 用分析纯原料生长KDP晶体，发现随着过饱和度的增大，晶体的生长速度加快，晶体的均匀性降低. 过饱和度实时控制系统可以使KDP晶体在相对恒定的过饱和度下生长，提高了晶体生长的均匀性，抑制了生长层和散射颗粒的产生，有利于提高晶体的光学透过率和光伤阈值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙洵		51	403	11.0	17.0
2	高樟寿		15	132	7.0	10.0
3	王圣来		43	448	12.0	18.0
4	曾红		12	98	6.0	9.0
5	付有君		3	28	3.0	3.0
6	李义平		7	127	6.0	7.0