立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相

• 作者: 李顺峰 杨辉 林世鸣 梁骏吾 渠波 王玉田 胡国新 郑新和
• 来源期刊: 中国科学A辑
• 关键词: GaN 极性 表面起伏
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 562-566
• 页数: 5页
• 字数: 3880字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-9232.2001.06.012

摘要

利用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、透射电子显微镜（TEM）和X射线衍射（XRD）技术研究了低压金属有机化学气相淀积(LP_MOCVD)的立方相GaN/GaAs(001)外延层的表面起伏特征，及其与外延层极性和内部六角相、立方相微孪晶之间的联系. 结果表明外延表面存在有大量沿[110]方向延伸的条带状台阶，而表面起伏处对应着高密度的六角相或立方相微孪晶，在表面平整的区域内其密度则较低. {111}-{Ga}和{111}-N面上形成六角相和微孪晶概率的明显差异是导致外延层表面台阶状起伏特征的根本原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨辉	中国科学院半导体研究所	179	2701	25.0	46.0
2	胡国新	中国科学院半导体研究所	13	83	4.0	8.0
3	王玉田	中国科学院半导体研究所	13	28	3.0	5.0
4	郑新和	中国科学院半导体研究所	10	19	3.0	4.0
5	李顺峰	中国科学院半导体研究所	3	8	2.0	2.0
6	梁骏吾	中国科学院半导体研究所	13	393	4.0	13.0
7	林世鸣	中国科学院半导体研究所	15	49	5.0	6.0
8	渠波	中国科学院半导体研究所	6	17	3.0	4.0