金属有机化学汽相沉积生长InGaN薄膜的研究

• 作者: 彭学新 李述体 江风益 熊传兵 王立
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属有机汽相沉积 InGaN 卢瑟福背散射/沟道技术 光致发光
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 所属期刊栏目: 薄膜光学
• 页码范围: 1463-1466
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3652字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-2239.2001.12.013

摘要

以Al2O3为衬底,采用金属有机汽相沉积(MOCVD)技术在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜.以卢瑟福背散射/沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2O3样品进行了分析.研究表明,金属有机汽相沉积生长高In组分InxGa1-xN薄膜有一最佳TMIn/TEGa摩尔流量比.在一定范围内,降低其摩尔流量比,合金的生长速率增高,In组分提高;进一步降低TMIn/TEGa摩尔流量比,导致In组分下降.研究还表明,InGaN薄膜的结晶品质随In组分的增大而下降,InGaN薄膜的In组分由0.04增大到0.10,其最低沟道产额比由4.1%增至11.0%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王立	南昌大学材料科学研究所	48	324	10.0	14.0
2	江风益	南昌大学材料科学研究所	60	527	12.0	19.0
3	熊传兵	南昌大学材料科学研究所	23	157	7.0	11.0
4	彭学新	南昌大学材料科学研究所	16	117	7.0	10.0
5	李述体	南昌大学材料科学研究所	12	93	5.0	9.0