GaN基量子阱激子结合能和激子光跃迁强度

• 作者: 熊贵光 顾海涛
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN/AlN 量子阱 激子结合能 振子强度 激子
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文与技术报告
• 页码范围: 173-176
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3
• 字数: 3005字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2001.03.006

摘要

采用变分法，计算了GaN基量子阱中激子结合能和激子光跃迁强度。计算结果表明，GaN基量子阱中激子结合能为10～55meV,大于体材料中激子结合能，并随着阱宽减小而增加，在临界阱宽处达到最大。结间带阶同样对激子结合能有着较大的影响，更大带阶对应更大的结合能。同时量子限制效应增加了电子空穴波函数空间重叠，因此加强了激子光跃迁振子强度，导致GaN/AlN量子阱中激子光吸收明显强于体材料中激子光吸收。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊贵光	武汉大学物理科学与技术学院	23	95	5.0	8.0
2	顾海涛	武汉大学物理科学与技术学院	4	24	2.0	4.0