耦合ZnO/MgxZn1-xO量子点中的激子态和带间光跃迁

• 作者: 卫国红 危书义 孙永灿 赵建华
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子点 激子结合能 带间光跃迁能 电子-空穴复合率
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 材料物理和化学
• 页码范围: 340-344
• 页数: 5页
• 分类号: O472+.3
• 字数: 3130字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2009.03.004

摘要

在有效质量近似和变分原理的基础上,考虑量子点的三维约束效应和内建电场.研究了ZnO/MgxZn1-xO0耦合量子点中激子结合能、带间光跃迁能以及电子-空穴复合率随量子点结构参数(量子点高度和势垒层厚度)的变化.结果表明:激子结合能、带间光跃迁能和电子-空穴复合率随量子点高度或势垒层厚度的增加而降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵建华	河南师范大学物理与信息工程学院	6	42	3.0	6.0
2	孙永灿	河南师范大学物理与信息工程学院	3	10	1.0	3.0
3	危书义	河南师范大学物理与信息工程学院	37	99	5.0	7.0
4	卫国红	河南师范大学物理与信息工程学院	2	1	1.0	1.0