紫外发光的半导体MgxZn1-xO薄膜制备与性质

• 作者: H.Cao R.P.H.Chang 张会珍 曹昌其 杨述明 王永忠 章蓓 金艳波 陈晶 黄春辉
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 宽禁带半导体薄膜,II-VI族氧化物半导体,MgxZn1-xO ,X射线衍射,光致发光
• 年，卷（期）: 2002,（z1）
• 所属期刊栏目: 光电子材料制备和检测
• 页码范围: 45-48
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2296字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2002.z1.012

摘要

利用ZnO微晶粉末以化学电泳法成功地在导电玻璃上制备了不同x值的紫外发光的宽禁带氧化物半导体三元化合物MgxZn1-xO薄膜.电子显微镜和X 射线衍射研究显示,薄膜由MgxZn1-xO微晶组成,薄膜中微晶大小的分散度比ZnO粉末有所减小,并更具择优取向的趋势.室温下光致发光测量给出,MgxZn 1-xO薄膜在小于380nm的紫外波段出现较强的半宽小于20nm的激子性发光峰,而且带边峰的半宽以及带边峰与杂质缺陷峰强度之比均较原始的ZnO粉末有明显改善,表明这种MgxZn1-xO薄膜具有优良的紫外发光特性.