硅双晶结高温超导直流量子干涉器件

• 作者: 漆汉宏 王天生 田永君 魏艳君
• 来源期刊: 传感器技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅双晶 高温超导 量子干涉
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 设计与制造
• 页码范围: 31-33
• 页数: 3页
• 分类号: TN451
• 字数: 2320字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9787.2001.01.012

摘要

研究了在硅双晶基片上制备高临界温度(Tc)，YBa2Cu3O7 （YBCO）直流量子干涉器件(DC-SQUID)工艺及其特性。采用脉冲激光沉积技术在Si (100)双晶基片上原位制备钇稳定氧化锆(YSZ)、CeO2隔离层、YBCO超导薄膜及非超导YBCO钝化层，超导薄膜临界温度为88?K。采用激光技术直接成型的硅双晶结符合典型电阻分路结RSJ模型，其IcRN　值在77?K下可达到150?μV，具有Fraunhofer衍射状的Ic(H)特性。所实现的DC-SQUID器件电压-磁通传输函数达4.835?938?GV/Wb，白噪声区及1?Hz下的噪声水平达136．478?16?zWb/Hz1/2和299.838?39?zWb/Hz1/2。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	漆汉宏	燕山大学电气工程学院	48	420	10.0	19.0
2	王天生	燕山大学电气工程学院	31	241	9.0	14.0
3	田永君	燕山大学电气工程学院	33	164	7.0	11.0
4	魏艳君	燕山大学电气工程学院	33	307	8.0	17.0