LiF-TLD对中子响应的LET效应研究

• 作者: 崔高显 赵敏智 赵林 雷家荣
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: LiF-TLD LET效应 吸收剂量 中子注量 能量响应
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 129-133,147
• 页数: 6页
• 分类号: TL816.7
• 字数: 4780字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2001.02.015

摘要

针对LiF-TLD在n-γ混合场的区分测量、抗核辐射加固实验和辅助核查时,存在TLD吸收剂量响应的LET效应问题,开展了TLD对中子响应的LET效应实验研究。研究工作从实际应用角度出发,优选了目前国内重现性指标最好的LiF-TLD探测器,设计了从热中子至14MeV中子的辐照装置,进行了严格的实验测试和必要的理论计算,得出了LiF-TLD对较宽能区中子响应的LET效应因子。其结果可用于n-γ混合场的区分测量、抗核辐射加固实验和核查。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵林	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	18	35	3.0	5.0
2	赵敏智	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	9	12	2.0	3.0
3	崔高显	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	8	36	3.0	6.0
4	雷家荣	四川大学原子核科学技术研究所	4	9	2.0	3.0