渗硅碳化硅材料的高温氧化

• 作者: 张丽鹏 武七德 魏明坤
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 渗硅碳化硅 游离硅 游离碳 高温氧化
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究工作快报
• 页码范围: 52-55
• 页数: 4页
• 分类号: TB35
• 字数: 1745字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1625.2001.04.012

摘要

研究了全碳粉反应渗硅碳化硅(PCRBSC)材料,在1300℃静态空气中的高温氧化行为.研究结果表明:PCRBSC材料的氧化过程遵循直线-抛物线规律,其结构对高温氧化有很大的影响,特别是游离硅fsi和游离碳fc的含量对氧化影响更大,fsi含量高的PCRBSC材料单位面积氧化增重(Δm/s)明显,fc含量高的PCRBSC材料氧化后表现为先减重后增重,氧化层断口经扫描电镜观察有明显的气孔存在.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	武七德	武汉理工大学材料学院	43	542	14.0	21.0
2	魏明坤	武汉理工大学材料学院	38	391	12.0	18.0
3	张丽鹏	武汉理工大学材料学院	7	98	5.0	7.0