碳化硅器件及其应用

• 作者: 盛柏桢 程文芳
• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 半导体器件 半导体材料
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 页码范围: 19-23
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.24

摘要

作为宽带半导体材料的SiC及其器件制造技术近年来得到迅速发展。与其它半导体材料相比，SiC独特的热特性和电特性，在功率和频率性能方面具有很高的品质因数。SiC还适应高温和辐射环境。本文主要叙述SiC材料的特性、器件制作技术及其应用。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	盛柏桢		18	43	3.0	6.0
2	程文芳		18	43	3.0	6.0