半导体/超晶格分布布拉格反射镜的特性研究

• 作者: 任春燕 晏长岭 苏伟 赵英杰 钟景昌 黎荣晖
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 分布布拉格反射镜(DBR) 超晶格 分子束外延(MBE) 反射谱 串联电阻
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 289-293
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 3286字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.03.017

摘要

在n+-GaAs(100)衬底上由分子束外延技术(MBE)生长了以[GaAs/AlAs]超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的新型AlAs/[GaAs/AlAs]半导体/超晶格分布布拉格反射镜(DBR),并对此DBR的光、电学特性进行了实验测量.从实验获得的DBR的反射谱中得出,其反射谱中心波长为850nm,19周期此DBR的峰值反射率高达99.5%,反射带宽度为90nm左右.与此同时,由自行设计的二次钨丝掩模质子注入形成15×15μm2正方形电流注入区对p型DBR的串联电阻进行了测量,克服了化学湿腐蚀法中腐蚀深度不易控制及侧面同时被腐蚀的缺点.实验得出此p型DBR的串联电阻仅为50Ω左右.由此可见,此DBR在保持高的反射率的同时具有较低的串联电阻.最后,对DBR的串联电阻与温度关系的实验研究表明,此DBR的串联电阻受温度的影响不大.