单晶硅非平衡磁控溅射等离子体基离子注入钼的XPS研究

• 作者: 于伟东 夏立芳 孙跃
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属等离子体基离子注入 单晶硅 X射线光电子能谱
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 190-193，202
• 页数: 5页
• 分类号: TG174.144|O484.1
• 字数: 3473字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2001.03.005

摘要

采用非平衡磁控溅射及射频激励产生金属等离子体，在单晶基体Si上等离子体基离子注入钼。选择不同的靶基距，即不同的Mo沉积速率，研究了沉积速率对Si中Mo注入层的影响，用X光电子能谱(XPS)对注入层中Mo的深度分布和化学态进行了分析。结果表明：注入过程由两部分组成，即反冲注入(包括级联碰撞引起注入原子的位移)和金属的纯注入。随靶基距增大，沉积速率减小，样品表面沉积层厚度减小，注入层增厚。靶基距为300 mm时，纯注入层厚度与理论计算值接近。XPS多道分析判断有MoSi2相生成。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于伟东	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	2	1	1.0	1.0
2	夏立芳	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	48	772	16.0	26.0
3	孙跃	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	41	374	12.0	17.0