热处理温度对AlP/SiO2纳米复合材料发光的影响

• 作者: 郭芳侠
• 来源期刊: 陕西师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 热处理温度 AlP/SiO2纳米材料 隧穿复合发光
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 专题研究
• 页码范围: 50-52
• 分类号: O433.5
• 字数: 1201字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1672-4291.2001.03.012

摘要

对不同温度热处理的xAlP/100SiO2纳米复合材料的光致发光进行了研究.结果表明,500℃热处理的样品光致发光谱只有位于585 nm附近的发光峰,它来源于表面态和缺陷复合发光.600℃热处理的样品有两个发光峰,分别位于585*"nm和635*"nm附近.分析认为,635*"nm处的发光是被弛豫至表面态的电子和空穴通过隧穿复合发光;材料热处理温度的提高有利于晶粒的生长,从而使表面态和缺陷发光明显减弱,出现另一由于隧穿复合产生的发光峰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭芳侠	陕西师范大学物理学与信息技术学院	50	76	5.0	6.0