利用三步法MOCVD生长器件质量的GaN

• 作者: 刘宝林
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: GaN MOCVD 原子层外延 三步外延 器件质量 AlN
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文与技术报告
• 页码范围: 428-432
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 3826字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2001.06.014

摘要

在传统的二步MOCVD外延生长的基础上,报道了一种在低压MOCVD中用三步外延生长GaN材料的新方法,它在生长低温缓冲层前,用原子层的方法生长一层高质量的AlN层来减少Al2O3与GaN缓冲层之间的应力以提高缓冲层的质量,从而提高外延层GaN的质量,达到器件制作的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘宝林	厦门大学物理系	30	167	9.0	11.0