离子注入对纳米Si3N4结构的影响

• 作者: 李道火 涂鲜花 詹明生 赵华珍
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子限制效应 荧光不稳定 离子注入 纳米Si3N4
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 369-372
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174
• 字数: 2376字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2001.02.029

摘要

通过FT-IR、XPS和荧光光谱研究了离子注入对纳米Si3N4结构的影响.发现离子注入改变了材料中游离硅(a-Si)的结构,使其变成了SiNn(n=1,2).荧光谱研究表明纳米Si3N4具有明显的量子限制效应,并且荧光峰的位置和强度存在不稳定性.根据实验结果给出了纳米Si3N4的能级结构图.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李道火	中国科学院安徽光学精密机械研究所	25	254	10.0	15.0
2	赵华珍	中国科学院安徽光学精密机械研究所	1	0	0.0	0.0