原文服务方: 材料工程       
摘要:
利用直流磁控反应溅射法在Al基底上制备了ZrN2及Ti多层薄膜。利用扫描俄歇微探针的深度剖析和线形分析技术研究了真空热处理对Ti/ZrN2/Al样品膜层之间的界面化学状态和相互作用的影响。研究结果表明,真空热处理使Ti/ZrN2/Al薄膜界面上发生了明显的界面扩散和化学反应,生成了TiNx物种,并且薄膜内层发生了严重的氧化反应。
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关键词热度
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文献信息
篇名 Ti/ZrN2/Al薄膜界面扩散反应的研究
来源期刊 材料工程 学科
关键词 界面扩散 ZrN2 俄歇电子能谱 线形分析
年,卷(期) 2001,(7) 所属期刊栏目 研究与应用
研究方向 页码范围 36-39
页数 4页 分类号 TB383
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-4381.2001.07.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 朱永法 清华大学化学系 72 1238 21.0 33.0
2 殷木省 清华大学化学系 4 17 2.0 4.0
3 王莉 清华大学化学系 91 815 15.0 24.0
4 姚文清 清华大学化学系 32 302 9.0 16.0
5 嵇世山 清华大学化学系 7 51 4.0 7.0
6 曹立礼 清华大学化学系 24 444 10.0 21.0
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研究主题发展历程
节点文献
界面扩散
ZrN2
俄歇电子能谱
线形分析
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
材料工程
月刊
1001-4381
11-1800/TB
大16开
北京81信箱-44分箱
1956-05-01
中文
出版文献量(篇)
5589
总下载数(次)
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57091
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