锗/硅短周期超晶格的X射线双晶衍射研究

• 作者: 卢焕明 季振国 王龙成 芮祥新 袁骏
• 来源期刊: 浙江大学学报(工学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 锗 硅 短周期 超晶格 双晶衍射
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: O434.14:O471:TN304
• 字数: 1449字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2001.01.001

摘要

用X射线双晶衍射对气源分子束外延(GS-MBE)制备的锗/硅短周期超晶格(SPS)样品进行了分析．所有样品的锗层厚度固定为1．5单原子层，而硅层厚度为1．4～3．8 nm．对于硅层厚度小于2．4nm的样品来说，双晶衍射摇摆曲线中由超晶格引起的衍射峰较宽，而且看不到干涉引起的精细结构，这表明超晶格中可能存在位错及界面不平整．对硅层较厚(＞2．9 nm)的样品，摇摆曲线中超晶格引起的衍射峰很窄，而且有明显的由干涉产生的精细结构，表明此时超晶格的质量较高，界面平整．对硅层厚度为2．1～2．9 nm的样品，超晶格对应的衍射峰可以分解为两个宽度不等的子峰，但没有精细结构出现．这个区间与文献[1]报道的在荧光光谱发现的一个异常带出现区间完全相同．本实验的X射线双晶衍射测试与分析结果支持文献[1]提出的此异常带与局部应力场引起的外延层呈波浪状扭曲有关的结论．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	季振国	浙江大学硅材料国家重点实验室	48	467	12.0	19.0
2	王龙成	浙江大学硅材料国家重点实验室	9	29	3.0	5.0
3	芮祥新	浙江大学硅材料国家重点实验室	8	21	3.0	4.0
4	袁骏	浙江大学硅材料国家重点实验室	22	362	10.0	18.0
5	卢焕明	浙江大学硅材料国家重点实验室	17	361	9.0	17.0