非晶硅Pin二极管的1MeV电子幅照效应

• 作者: 廖显伯 李柳青 游志朴
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: a-Si∶H本征膜 Pin二极管 电子辐照 室温恢复 高温退火 光谱响应的峰值"红移” 辐射缺陷
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1076-1078
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.8
• 字数: 1972字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2001.08.018

摘要

本文报道a-Si∶H本征膜及Pin二极管的1MeV1.4×1015,4.2×1015,8.4×1015/cm2电子幅照实验结果和退火行为.测量了电子辐照对a-Si∶H光暗电导率和光致发光谱的影响,以及a-Si∶H Pin二极管光伏特性和光谱响应随电子辐照剂量的变化.发现电子辐照在a-Si∶H本征膜和二极管中引起严重的损伤,和二极管光谱响应的峰值"红移”.但未见饱和现象,还观测到明显的室温恢复现象;但高温退火处理后未能完全恢复.本文对以上实验结果给出了合理的解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李柳青	北京印刷学院基础部	7	18	2.0	3.0
2	廖显伯	中科院半导体所	2	20	2.0	2.0
3	游志朴	四川联合大学物理系	1	2	1.0	1.0