X射线在重金属-硅界面的剂量增强系数的计算

• 作者: 牟维兵 陈盘训
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 物理学
• 关键词: X射线 界面 辐射损伤 剂量增强系数
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 208-210
• 页数: 3页
• 分类号: O434.1
• 字数: 1808字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2001.03.013

摘要

当X射线射入不同材料组成的界面时,在低Z材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理,并用MCNP Monte-Carlo程序计算了钨-硅、钽-硅界面的剂量增强系数。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈盘训	中国工程物理研究院应用电子学研究所	5	34	3.0	5.0
2	牟维兵	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	15	51	4.0	6.0