X 射线在金-硅界面剂量增强系数与金和硅厚度关系的模拟研究

• 作者: 张建芳 李春芝 黄志军
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体 剂量增强 蒙特卡罗方法 界面 X射线
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 812-815
• 页数: 4页
• 分类号: O471
• 字数: 1415字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2014.05.022

摘要

用蒙特卡罗（Monte Carlo）方法计算不同能量的X射线在金-硅（Au-Si）界面处产生的剂量增强系数（DEF）与金（Au）和硅（Si）厚度的关系。结果表明：Au和Si的厚度影响界面下的DEF ，界面一侧Si中的DEF随Au和Si厚度的增加而增大。此外还研究了确定的Au厚度在界面下不同位置处的DEF随能量的变化关系，界面处的DEF最大，离界面越远剂量增强效应越小。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李春芝	内蒙古民族大学物理与电子信息学院	15	30	3.0	4.0
2	张建芳	内蒙古民族大学物理与电子信息学院	12	19	2.0	4.0
3	黄志军		2	0	0.0	0.0