再分布过程Ga在SiO2-Si界面反扩散特性研究

• 作者: 修显武 周忠平 张晓华 裴素华 赛道健
• 来源期刊: 中国学术期刊文摘
• 学科: 工学
• 关键词: Ga 再分布 SiO2-Si界面 反向扩散
• 年，卷（期）: 2001,（10）
• 页码范围: 1316-1318
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.4
• 语种: 中文

摘要

用二次离子质谱(SIMS)分析方法,研究了再分布过程中Ga在SiO2-Si界面附近浓度分布的变化规律.结果表明,杂质在硅体内按高斯函数分布的同时,却在界面附近形成由Si指向SiO2的反杂质流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周忠平	山东师范大学半导体研究所	14	69	5.0	8.0
2	裴素华	山东师范大学半导体研究所	27	70	6.0	7.0
3	修显武	山东师范大学半导体研究所	15	21	2.0	4.0
4	张晓华	山东师范大学半导体研究所	6	3	1.0	1.0
5	赛道健	山东师范大学半导体研究所	1	0	0.0	0.0